高通發佈 Snapdragon 835, 用 Samsung 10nm 製程

高通 Snapdragon 821 後續產品確認型號，同時確定 10nm FinFET 製程。 究竟是 高通 Snapdragon 830，還是 高通 Snapdragon 835，這讓市場猜測許久，但在稍早終於有了最終答案。 高通 在 11月 17日晚間釋出新聞稿，宣布 高通 Snapdragon 835 將採用 10nm FinFET 製程，並交由 Samsung Electronics 負責。 Samsung 電子是在 2016年 10月量產 10nm FinFET 製程，而 高通 則是該公司第一個客戶。相較於 14nm FinFET 製程，全新的 10nm FinFET 製程可以在減少 30% 的面積的基礎下，提升 27% 的效能，同時也降低 40% 的功耗。 高通 Snapdragon 835 已經進入量產，至於採用相關裝置的產品預計會在 2017 上半年出貨。 目前 高通 Snapdragon 835 的 CPU 與 GPU 架構仍不明確，但可以確定在 CPU 部分將延續 Kryo 核心，而唯一可以確認的是它將導入 高通 Snapdragon X16 LTE Modem。 此文章原刊於 Qooah.com 為您推薦更多相關文章： 爆炸又如何！Samsung 仍能稱霸印度智能手機市場

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