昨晚高通除了發佈 Snapdragon 835 , 還有 Quick Charge 4 快速充電技術 , 這是 Snapdragon 835 內置的一個功能 , 究竟 Quick Charge 4 在充電上有何大提升 ? 高通表示 Quick Charge 4 可以做到 充電 5分鐘續航力 5小時 . 充電速度對比起提高 20% , 轉換率亦提高達 30% , 更結合了 USB Type-C 連接埠與對 USB-PD（USB Power Delivery）的支援 . Quick Charge 4 採用 Qualcomm Technologies 最新版本的最佳電壓智能協商電源（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ，INOV）管理演算法 , 可以更好的測出電壓需求 . 當低電量時就會提高電壓及電流量 , 令手機可以在 15分鐘充 50% 的電量 . 另外當手機的電池溫度提升時就會降低電壓及放緩電流量 . 控制 電壓、電流與溫度 來保護電池及手機的安全 , 亦會做到防止過充 . 此文章原刊於 Qooah.com 為您推薦更多相關文章： 高通發佈 Snapdragon 835, 用 Samsung 10nm 製程
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